CY62167GN30-45ZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62167GN30-45ZXI

データシート
パッケージ

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CY62167GN30-45ZXI
CY62167GN30-45ZXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62167GN30-45ZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 192
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 192
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
CY62167GN30-45ZXIは16-Mbit（1M×16/2M×8）のCMOS非同期SRAMで、アクセス時間45 nsの組込み/携帯機器向けメモリです。2.2 V～3.6 Vで動作し、温度範囲は-40°C～+85°C。スタンバイ電流は典型1.5 µA（最大8 µA）で非選択時に自動パワーダウン、スタンバイ時はI/Oがハイインピーダンス。22.22 MHzで動作ICC最大35 mA。-45ZXIはPbフリー48ピンTSOP Iです。

特長

  • 16 Mbit SRAM 1M×16/2M×8
  • リード周期45 ns (tRC)
  • OE→データ有効22 ns
  • VCC 2.2 V～3.6 V
  • スタンバイ典型1.5 µA
  • スタンバイ最大8 µA
  • ICC最大35 mA@22.22 MHz
  • データ保持VDR=1 V
  • 保持電流最大8 µA
  • BHE/BLEでバイト制御
  • CE/OEでI/OをハイZ
  • ESD>2001 V(MIL-STD)

利点

  • 16/8ビットIFで設計柔軟
  • 45 nsで高速CPUに対応
  • OE 22 nsで読出し遅延低減
  • 2.2–3.6 Vで3 V系に適合
  • 1.5 µAで電池寿命を延長
  • 8 µA上限で休止電力抑制
  • ICC 35 mA上限で消費低減
  • VCC 1 Vまでデータ保持
  • µA保持でバックアップ低減
  • バイト書込みで電力低減
  • ハイZでメモリ増設が容易
  • 高ESDで堅牢性を向上

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ