CY62167EV30LL-45BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62167EV30LL-45BVXIT

High-Density 16 MBit MoBL™ Parallel SRAM for Industrial Applications with Wide Temperature Range
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62167EV30LL-45BVXIT
CY62167EV30LL-45BVXIT
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62167EV30LL-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62167EV30LL-45BVXITは16-Mbit CMOS SRAMで、1M × 16または2M × 8構成、45 nsアクセスに対応。動作電圧は2.2 V～3.6 Vで、Automotive-A（–40°C～+85°C）。非選択時の自動パワーダウン、待機典型1.5 µA（最大12 µA）、1 MHz時ICC典型2.2 mA。バイトイネーブル（BHE/BLE）対応で、Pb-free 48-ball VFBGAを提供。

特長

  • 16 Mbit SRAM、1M×16/2M×8
  • 45 nsの読出/書込サイクル
  • VCC動作範囲2.2 V～3.6 V
  • 非選択時に自動パワーダウン
  • スタンバイ電流1.5 µA typ
  • 1 MHz時の動作電流2.2 mA typ
  • VCC 1.5 Vまでデータ保持
  • VCC=1.5–3.0 Vで10 µA max
  • OE/CE/BHE/BLEで3状態制御
  • 入出力リーク±1 µA max

利点

  • 16ビット/8ビット設計に対応
  • 45 nsで高速アクセスを実現
  • 2.2–3.6 Vで3.3 V系に適合
  • 自動省電力で待機電力を低減
  • µA級待機で電池寿命を延長
  • 動作電流が低く発熱を低減
  • VCC低下時もデータ保持
  • 10 µA保持でバックアップ可能
  • 3状態でバス共有/拡張が容易
  • 低リークで低消費IOを改善
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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