CY62157GE30-45ZXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157GE30-45ZXIT

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パッケージ

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CY62157GE30-45ZXIT
CY62157GE30-45ZXIT
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62157GE30-45ZXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
CY62157GE30-45ZXITは8 Mbit（512K×16）のCMOS MoBL SRAMで、内蔵ECCにより単ビット誤りを検出・訂正し、ERRインジケータ出力を備えます。2.2 V～3.6 Vで動作し、45 nsアクセスに対応。自動パワーダウン時のスタンバイ電流は1.4 µA typ、85°Cで6.5 µA max。デュアルチップイネーブルとバイト書込みイネーブルに対応します。

特長

  • 8 Mbit SRAM（512K×16）
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • ERR出力で訂正エラー通知
  • 読書きサイクル45 ns
  • VCC電源1.65 V～3.6 V
  • スタンバイ最大6.5 µA
  • VDR=1.0 Vでデータ保持
  • デュアルCE入力（CE1,CE2）
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • 非選択/OE HighでHi-Z
  • BHE&BLE HighでバイトPD
  • HBM ESD耐量>2001 V

利点

  • ECCでSRAMデータ信頼性向上
  • ERR出力でエラー処理簡素化
  • 45 nsで高速CPUに対応
  • 1.65–3.6 Vで多電源に適合
  • 最大6.5 µAで待機電力低減
  • 1.0 V保持でバックアップ節電
  • デュアルCEでバンク選択容易
  • バイト書込みで帯域を節約
  • Hi-Zでバス共有が容易
  • バイトPDで待機電力を削減
  • HBM>2001 Vで堅牢性向上
  • 明確な時序で検証を短縮

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ