CY62157G30-45ZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157G30-45ZXI

データシート
パッケージ

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CY62157G30-45ZXI
CY62157G30-45ZXI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62157G30-45ZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 96
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 96
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62157G30-45ZXIは8 Mbit（512K×16）のCMOS MoBL SRAMで、内蔵ECCにより1ビット誤りを検出・訂正します。-45スピードは2.2 V～3.6 Vで45 nsアクセス、産業用-40°C～+85°C動作、デュアルチップイネーブル（CE1/CE2）制御に対応。BHE/BLEでバイト書込みを行い、両方無効時はバイトパワーダウン待機へ移行（ISB2 typ 1.4 µA、max 6.5 µA）。

特長

  • 8 Mbit SRAM（512K×16）
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • ERR出力で訂正エラー通知
  • 読書きサイクル45 ns
  • VCC電源1.65 V～3.6 V
  • スタンバイ最大6.5 µA
  • VDR=1.0 Vでデータ保持
  • デュアルCE入力（CE1,CE2）
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • 非選択/OE HighでHi-Z
  • BHE&BLE HighでバイトPD
  • HBM ESD耐量>2001 V

利点

  • ECCでSRAMデータ信頼性向上
  • ERR出力でエラー処理簡素化
  • 45 nsで高速CPUに対応
  • 1.65–3.6 Vで多電源に適合
  • 最大6.5 µAで待機電力低減
  • 1.0 V保持でバックアップ節電
  • デュアルCEでバンク選択容易
  • バイト書込みで帯域を節約
  • Hi-Zでバス共有が容易
  • バイトPDで待機電力を削減
  • HBM>2001 Vで堅牢性向上
  • 明確な時序で検証を短縮

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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