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鉛フリー

CY15E004J-SXAT

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CY15E004J-SXAT
CY15E004J-SXAT
代替品
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
OPN
CY15E004J-SXAT
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
CY15E004J-SXATは4 Kbit（512×8）車載グレードのシリアルF-RAMで、I2Cインターフェースを採用し、4.5 V～5.5 V動作、最大1 MHzバス速度に対応します。1e14回の読み書き耐久性、65°Cで151年のデータ保持、NoDelay™書き込みを実現。低消費電力と高いデータ信頼性により、車載用途など頻繁かつ高速な書き込みが求められる不揮発性メモリに最適です。

特長

  • 4-Kbit F-RAM、512 x 8構成
  • 100兆回の読書き耐久
  • 65°Cで151年データ保持
  • I2Cインターフェース最大1 MHz
  • NoDelay™即時書き込み
  • 100 μA最大動作電流@100 kHz
  • 4 μA標準、10 μA最大待機電流
  • VDD範囲4.5 V～5.5 V
  • –40°C～+85°C動作温度
  • WPピンによる書き込み保護
  • シュミットトリガー入力
  • I2C EEPROMと互換

利点

  • 頻繁な信頼性データ記録可能
  • 書き込み遅延ゼロで高速化
  • データ長期間保持
  • 動作時の消費電力低減
  • 待機時の電力消費最小
  • 過酷環境でも安定動作
  • 書き込み保護でデータ安全
  • ノイズ耐性で通信安定
  • EEPROMから簡単置換
  • 書き込み後の待機不要
  • 旧式・高速I2C両対応
  • システムの複雑さ低減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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