Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15E004J-SXET

データシート
パッケージ

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CY15E004J-SXET
CY15E004J-SXET
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 周波数
    3.4 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15E004J-SXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15E004J-SXETは4 Kbit（512 × 8）車載グレードF-RAMで、10兆回の読み書きと85°Cで121年のデータ保持を実現します。4.5 V～5.5 V動作、100 kHz時250 μAの動作電流、10 μAのスタンバイ電流。高信頼性強誘電体プロセス採用、最大1 MHzのI2Cインターフェース、NoDelay™バス速度書き込み、AEC-Q100 Grade 1（–40°C～+125°C）準拠で、自動車や産業用途の不揮発性メモリに最適です。

特長

  • 4-Kbit不揮発性F-RAM、512×8構成
  • 10兆回の読書き耐久性
  • 121年データ保持
  • NoDelay™書込、即時データ保存
  • 最大1 MHz I2CシリアルIF
  • 100/400 kHz I2Cタイミング対応
  • 100 kHz時250 μA動作電流
  • 代表待機電流40 μA
  • VDD範囲：4.5 V～5.5 V
  • 動作温度：–40°C～+125°C
  • ヒューマンボディESD：2 kV
  • ラッチアップ電流耐性>140 mA

利点

  • 電源断後もデータ保持
  • 頻繁・高速なデータ記録対応
  • 121年の長期保存
  • 書込遅延なしで応答性向上
  • I2C EEPROMと互換
  • 新旧I2C設計に柔軟対応
  • 低動作電流で省エネ
  • 待機時も消費電力低減
  • 幅広いVDDで設計容易
  • 過酷な温度環境でも動作
  • ESD/ラッチアップ耐性で信頼性向上
  • 高耐久で保守負担軽減

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }