Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B102QSN-108SXI

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY15B102QSN-108SXI
CY15B102QSN-108SXI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    QSPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    1.8 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    1.8 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    108 MHz
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B102QSN-108SXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY15B102QSN-108SXIは2 Mb EXCELON Ultra強誘電体RAM（F-RAM）で、クワッドSPIインターフェース、256K × 8構成、最大108 MHzクロックに対応。動作電圧1.8 V～3.6 V、–40°C～+85°Cで動作し、即時不揮発性書き込み、10^14回の耐久性、65°Cで151年のデータ保持を実現。ECC/CRCによるデータ保護、ハード・ソフト両方の書き込み保護、256バイト専用セクタを搭載し、8ピンSOICで産業用途の高速・高信頼性不揮発性メモリに最適です。

特長

  • 2MビットF-RAM、256K×8構成
  • 100兆回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • 即時不揮発性書き込み
  • クアッド/デュアル/拡張/シングルSPI
  • SPI SDR 108 MHz、DDR 54 MHz
  • ECC内蔵：1ビット訂正2ビット検出
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • 固有デバイス・シリアル番号
  • 低消費電力：10mA動作、0.1μA休止
  • 256バイト特別セクタ回路耐性

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 電源断でもデータ消失なし
  • 書き込み遅延ゼロで効率化
  • 柔軟なインターフェース対応
  • 高速SPIで迅速アクセス
  • ECCでデータ整合性確保
  • 誤書き防止でデータ保護
  • トレーサビリティ・セキュリティ
  • 低消費でバッテリ長寿命
  • 特別セクタで安全保存

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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