Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14V104NA-BA25XI

データシート
パッケージ

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CY14V104NA-BA25XI
CY14V104NA-BA25XI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14V104NA-BA25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 299
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 299
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14V104NA-BA25XIは4 Mbit nvSRAMで、256 K × 16構成の高速SRAMにQuantumTrap不揮発素子を各セルに統合。電源断で自動STORE（VCAPコンデンサ使用）し、電源投入でRECALL、さらにソフトウェアまたはピンでSTORE/RECALL可能。VCC 3.0 V～3.6 V、VCCQ 1.65 V～1.95 V、-40°C～85°C、25 nsアクセス、20年データ保持、48ボールFBGA。

特長

  • 25 ns/45 nsアクセス
  • 電源断でAutoStore
  • STOREはSW/ピン起動
  • RECALLはSW/電源投入
  • 不揮発STORE 1,000 K回
  • データ保持20年
  • コアVCC 3.0-3.6 V
  • I/O VCCQ 1.65-1.95 V
  • VCAP 61-180 uF
  • AutoStore電流最大8 mA
  • 待機電流ISB最大8 mA
  • CMOSレベル(VIH 0.7×VCCQ)

利点

  • 電源断でも自動バックアップ
  • 高速読出しでリアルタイム対応
  • 保存制御の選択肢が広い
  • 電源投入RECALLで即復帰
  • 頻繁な不揮発保存に対応
  • 重要データを長期保持
  • 標準3.3 V電源に適合
  • 1.8 Vロジック直結
  • VCAPで保持回路を簡素化
  • AutoStore時の電源負担低減
  • 待機時の消費電力を低減
  • CMOSレベルでMCU接続容易

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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