Active and preferred
RoHS準拠

CY14B104NA-ZSP45XIT

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CY14B104NA-ZSP45XIT
CY14B104NA-ZSP45XIT

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
OPN
CY14B104NA-ZSP45XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B104NA-ZSP45XITは、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた4Mビット (256K×16) の並列nvSRAMです。2.7 V~3.6 Vの単一電源で動作し、外部VCAPコンデンサーを使用して電源オフ時に自動STOREを行い、電源オン時またはソフトウェアによって呼び出し (RECALL) を行います。この製品は、-40℃~85℃の温度範囲で、54ピンTSOP IIパッケージに収められており、45 nsのアクセス速度、20年間のデータ保持期間、および100万回のSTOREサイクルをサポートします。

特長

  • 4 Mbit nvSRAM、SRAM IF
  • 電源断で自動STORE
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • ソフト/ピンでSTORE開始
  • QuantumTrap不揮発セル
  • 単一電源2.7 V~3.6 V
  • 動作温度-40°C~+85°C
  • データ保持20年
  • 不揮発STORE 1,000 K回
  • VCAP外付け61~180 µF
  • 低電圧トリガ2.65 V
  • tSTORE最大8 ms

利点

  • SRAMのような即時アクセス
  • 停電時保存用ファームウェア不要
  • 電源復旧後の高速復元
  • 柔軟な保存制御オプション
  • EEPROMと比較した高信頼性NVM
  • 3 Vの安定化電源レールに対応
  • 過酷な温度環境下でも安定した動作
  • 長期データ保持による設定保護
  • 頻繁な保存操作に対応するSTORE耐久性
  • 小型コンデンサーでバックアップ不要の保存
  • 予測可能なブラウンアウト時保存トリガー
  • 短いSTORE時間によるダウンタイム抑制

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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