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RoHS準拠

CY14B104NA-ZSP25XI

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY14B104NA-ZSP25XI
CY14B104NA-ZSP25XI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B104NA-ZSP25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ 216
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ 216
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY14B104NA-ZSP25XIは4-Mbit nvSRAM（256K×16）で、高速SRAMとQuantumTrap不揮発要素を統合します。単一電源2.7 V～3.6 V、-40°C～85°Cで動作し、25 nsアクセスに対応。61 µF～180 µFのVCAPで電源断時に自動AutoStoreし、ソフトウェアSTORE/RECALLも可能。20年データ保持と100万回STOREで重要ログに対応します。

特長

  • 4 Mbit nvSRAM、SRAM IF
  • 電源断で自動STORE
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • ソフト/ピンでSTORE開始
  • QuantumTrap不揮発セル
  • 単一電源2.7 V～3.6 V
  • 動作温度-40°C～+85°C
  • データ保持20年
  • 不揮発STORE 1,000 K回
  • VCAP外付け61～180 µF
  • 低電圧トリガ2.65 V
  • tSTORE最大8 ms

利点

  • SRAM並みの即時アクセス
  • 停電保存にFW不要
  • 復電後すぐデータ復帰
  • 保存制御の選択肢が多い
  • EEPROMより高信頼NVM
  • 3 V電源レールに適合
  • 厳しい温度でも安定動作
  • 設定を長期保持できる
  • 頻繁な保存に耐える
  • 小容量Cで電池レス保存
  • ブラウンアウト挙動が明確
  • STORE短く停止時間を抑制

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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