CY14B104NA-ZSP25XI

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CY14B104NA-ZSP25XI

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製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

4 MBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Pure Sn
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
組織 (X x Y)

256Kb x 16
認定

Industrial
速度

25 ns

	推奨
OPN	CY14B104NA-ZSP25XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-54
パッケージ名	TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ	216
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:		個. 在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-54
パッケージ名	TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ	216
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

個.

在庫あり

CY14B104NA-ZSP25XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを統合した4MビットnvSRAM (256K×16) です。本製品は、-40℃～85℃の温度範囲で2.7 V～3.6 Vの単一電源で動作し、25 nsのアクセス速度をサポートします。データは、61 µF～180 µFのVCAPコンデンサーを使用して電源オフ時にAutoStoreされ、ソフトウェアによって保存または呼び出しが可能です。重要なデータロギングのために、20年間のデータ保持期間と100万回のSTOREサイクルを提供します。

特長

4 MビットnvSRAM、SRAMインターフェース
電源断時の自動保存 (AutoStore)
電源投入時またはソフトウェアによるRECALL
ソフトウェアまたはハードウェアピンによるSTORE
QuantumTrap 不揮発性素子
2.7 V～3.6 V単電源
動作温度: -40℃～+85℃
データ保持期間: 20年
不揮発性STORE動作: 100万回
VCAP外付けコンデンサ: 61～180 μF
VSWITCH低電圧トリガー: 2.65 V
STORE時間 tSTORE: 最大8 ms

利点

SRAMのような即時アクセス
停電時保存用ファームウェア不要
電源復旧後の高速復元
柔軟な保存制御オプション
EEPROMと比較した高信頼性NVM
安定化3 V電源レールに対応
過酷な温度環境下での安定動作
長期データ保持による設定保護
頻繁な保存操作に対応するSTORE耐久性
小型コンデンサーでバックアップ不要の保存
予測可能なブラウンアウト時保存トリガー
短いSTORE時間によるダウンタイム抑制

アプリケーション

デザインリソース

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CY14B104NA-ZSP25XI

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

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CY14B104NA-ZSP25XI

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