BSZ097N10NS5
アクティブ
RoHS対応

BSZ097N10NS5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3 package
データシート
パッケージ
ボード
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在庫あり

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BSZ097N10NS5
BSZ097N10NS5
個.
データシート


製品仕様情報

  • Ciss
    1600 pF
  • Coss
    250 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    62 A
  • IDpuls (最大)
    248 A
  • Ptot (最大)
    69 W
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    9.7 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1.8 K/W
  • Rth
    1.8 K/W
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.53
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

推奨
OPN
BSZ097N10NS5ATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET devices in 80 V and 100 V are designed for synchronous rectification in telecom and server power supply application, but also the ideal choice for other applications such as solar, low voltage drives and laptop adapter.

特長

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • 44% reduction in output capacitance
  • 43% RDS(on) reduction from previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ