Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BGA7H1BN6

データシート
パッケージ
EA.
在庫㝂り

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BGA7H1BN6
BGA7H1BN6
EA.
データシート

Product details

  • I
    4.3 mA
  • IIP3
    2 dBm
  • NF
    0.85 dB
  • P-1dB (in)
    -3 dBm
  • VCC動作
    1.5 V to 3.6 V
  • ゲイン
    12.3 dB
  • 周波数
    1805-2200 MHz
推奨
OPN
BGA7H1BN6E6327XTSA1
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
TSNP-6-2
パッケージ坝 N/A
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ポロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫㝂り

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TSNP-6-2
パッケージ坝 -
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫㝂り
BGA7H1BN6 is a front-end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 1805 MHz to 2690 Mhz and operates from1.5 V to 3.3 V supply voltage. The device features a single-line two-state control (Bypass- and High gain-Mode) and OFF-state can be enabled by powering down Vcc

機能

  • Insertion power gain: 12.3 dB
  • Low noise figure: 0.85 dB
  • Low current consumption: 4.3 mA
  • Insertion loss in bypass mode: -3.1 dB
  • Operating frequencies: 1805 - 2690 MHz
  • Two-state control: Bypass- and high gain-mode
  • Supply voltage: 1.5 V to 3.6 V
  • Digital on/off switch (1V logic high level)
  • Ultra small TSNP-6-2 leadless package (footprint: 0.7 x 1.1 mm2)
  • B7HF Silicon Germanium technology
  • RF output internally matched to 50 Ω
  • Only 1 external SMD component necessary
  • Pb-free (RoHS compliant) package

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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