BGA729N6
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

BGA729N6

データシート
パッケージ

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BGA729N6
BGA729N6
データシート


製品仕様情報

  • Frequency
    70 - 1000 MHz
  • I
    6.3 mA
  • IIP3
    -6 dBm
  • NF
    1.05 dB
  • P-1dB (in)
    -15
  • VCC動作 範囲
    1.5 V～3.3 V
  • ゲイン
    16.3 dB

OPN
BGA729N6E6327XTSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TSNP-6-2
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
DE

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TSNP-6-2
パッケージ名 -
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
BGA729N6 is a broadband low power low noise amplifier (LNA) MMIC for portable and mobile TV applications which covers a wide frequency range from 70 MHz to 1000 MHz. The LNA provides 16.3 dB gain and 1.1 dB noise figure at a current consumption of 6.0 mA in the application configuration. In bypass mode the LNA provides an insertion loss of -4.0dB. The BGA729N6 is based upon Infineon Technologies B7HF Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.3 V supply voltage.

特長

  • Insertion power gain: 16.3 dB
  • Insertion Loss in bypass mode: -4.0 dB
  • Low noise figure: 1.1 dB / 4.3 dB in high gain / bypass mode
  • Low current consumption: 6.0 mA
  • Power off function
  • Operating frequency: 70 -1000 MHz
  • Three-state control: OFF-, Bypass- and High gain-Mode
  • Supply voltage: 1.5 V to 3.3 V
  • Ultra small TSNP-6-2 leadless package (footprint: 0.7 x 1.1 mm2)
  • B7HF Silicon Germanium technology
  • No external matching inductor required
  • RF input and output internally matched to 50 Ω
  • Only 2 external SMD component necessary
  • 2kV HBM ESD protection (including AI-pin)
  • Pb-free (RoHS compliant) package
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ