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AIDK10S65C5
生産終了
生産終了
RoHS対応

AIDK10S65C5

生産終了
The 5th Generation CoolSiC™ Automotive Schottky Diode and represents Infineon leading edge technology for Silicon Carbide Schottky Barrier diodes
データシート
パッケージ

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AIDK10S65C5
AIDK10S65C5
データシート


製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    42 A
  • IF (最大)
    10 A
  • IR
    2 µA
  • Ptot (最大)
    53 W
  • QC
    15 nC
  • RthJC
    2.2 K/W
  • VF
    1.5 V
  • 認定
    Automotive

OPN
AIDK10S65C5ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-2
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-2
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
Thanks to a compact design and a technology based on thin wafers, this family of products shows improved efficiency over all load conditions resulting from both its thermalcharacteristics and low figure of merit (Qc x Vf). This product family has been designed to complement Infineon’s IGBT and CoolMOS™ portfolio. This ensures meeting the most stringent application requirements inthe 650V voltage class.

特長

  • semiconductor material - Silicon Carbide
  • Benchmark switching behavior
  • No reverse recovery/ No forward recovery
  • Temperature independent switching
  • High surge current capability
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • Enhanced system efficiency
  • Cost/Size Savings from Reduced Cooling
  • Enabling Higher Frequency, Power Density
  • Enhance reliability at lower temperature
  • Reduced EMI
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ