産業用モータードライブおよび制御

低、中、高出力モータードライブ向けのソリューション

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概要

インフィニオンは、モーター制御用に最適化された効率的な半導体の幅広いポートフォリオを提供します。低電力範囲のスマートな設計は、当社のIPMとディスクリートにお任せください。中電力ドライブには、 EasyPIM™、 EasyPACK™、およびEconoPIM™モジュールが最適です。高出力向けには、EconoDUAL™とPrimePACK™が最適なソリューションです。PrimePACK™モジュールは、革新的な.XT相互接続技術と組み合わせることで、熱およびパワーサイクル能力を高めて寿命を延ばすことができるため、寿命の為に容量の大きい製品を選択していていた設計者のジレンマを克服するのに役立ちます。

当社のポートフォリオのハイライトには、ドライブアプリケーションのニーズに合わせて特別に調整されたTRENCHSTOP™ IGBT7モジュールが含まれます。汎用ドライブ(GPD)アプリケーションに最適なTRENCHSTOP™ IGBT7デバイスは、実績のあるさまざまなパッケージで電力密度、制御性、および過負荷能力を向上させ、コストと時間を向上させます。高速ドライブとインバーターの統合において、インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、特に部分負荷条件下でスイッチング損失と導通損失を低減するため、魅力的なソリューションです。

インフィニオンのパワー半導体を補完するものとして、すべてのSi およびSiC デバイス用のゲートドライバICも提供しています。インフィニオンの幅広いEiceDRIVER™ポートフォリオは、基本的な機能から強化された機能まで拡張できます。この製品を完成させ、インダストリー4.0に対応した設計を実現するために、XMC™ MCUで高まる接続ニーズをサポートします。

最高のセキュリティ基準を実現するOPTIGA™ Trustソリューションを推奨します。これらのデバイスをXENSIV™ファミリーのセンサーと組み合わせることで、設計により多くの感覚インテリジェンスをもたらし、予知保全などの革新的な機能を実現できます。

モーター駆動システムの独特で特殊な要件により、IGBT設計への新しいアプローチが求められています。適切なIGBT技術を使用すれば、これらのニーズに対応するためのより適切なモジュールを作成できます。インフィニオンは、最新世代のIGBT技術であるIGBT7でこのアプローチを採用しています。

チップレベルでは、IGBT7はマイクロパターントレンチ(MPT)を使用しており、その構造はドリフトゾーンでの順方向電圧の低減と導電率の向上に大きく貢献します。モーター制御、中程度のスイッチング周波数のアプリケーションの場合、IGBT7は前世代から損失を大幅に低減します。IGBT7が一世代前のIGBT4から提供したもう1つの改善点は、ドライブアプリケーション向けに最適化されたフリーホイールダイオードです。エミッター制御ダイオード EC7の順方向電圧降下は、EC4ダイオードの順方向電圧降下よりも100 mV低くなり、逆回復の柔らかさが向上しました。

業界全体でより多くの自動化が使用されるにつれて、それに応じてサーボモーターの需要が高まっています。正確なモーションコントロールと高トルクレベルを組み合わせる能力により、自動化やロボット工学に最適です。

インフィニオンは、その製造専門知識と長年の経験を活かして、IGBTよりも高性能でありながら、短絡耐量が2 μsまたは3 μsと同等の堅牢性を備えたSiCトレンチ技術を開発しました。インフィニオンの CoolSiC™ MOSFETは、容量性の誤ターンオンなど、SiCデバイスに固有の潜在的な問題にも対処します。さらに、SiC MOSFETは業界標準のTO-247-3パッケージだけでなく、スイッチング性能がさらに向上したTO-247-4パッケージでも提供しています。加えて、CoolSiC™ MOSFETはSMDパッケージTO-267-7でも入手可能です。これらのTOパッケージに加えて、SiC MOSFETはEasy 1B、Easy 2B、および62mmのモジュールパッケージでも入手可能です。

インフィニオンは、モーター制御用に最適化された効率的な半導体の幅広いポートフォリオを提供します。低電力範囲のスマートな設計は、当社のIPMとディスクリートにお任せください。中電力ドライブには、 EasyPIM™、 EasyPACK™、およびEconoPIM™モジュールが最適です。高出力向けには、EconoDUAL™とPrimePACK™が最適なソリューションです。PrimePACK™モジュールは、革新的な.XT相互接続技術と組み合わせることで、熱およびパワーサイクル能力を高めて寿命を延ばすことができるため、寿命の為に容量の大きい製品を選択していていた設計者のジレンマを克服するのに役立ちます。

当社のポートフォリオのハイライトには、ドライブアプリケーションのニーズに合わせて特別に調整されたTRENCHSTOP™ IGBT7モジュールが含まれます。汎用ドライブ(GPD)アプリケーションに最適なTRENCHSTOP™ IGBT7デバイスは、実績のあるさまざまなパッケージで電力密度、制御性、および過負荷能力を向上させ、コストと時間を向上させます。高速ドライブとインバーターの統合において、インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、特に部分負荷条件下でスイッチング損失と導通損失を低減するため、魅力的なソリューションです。

インフィニオンのパワー半導体を補完するものとして、すべてのSi およびSiC デバイス用のゲートドライバICも提供しています。インフィニオンの幅広いEiceDRIVER™ポートフォリオは、基本的な機能から強化された機能まで拡張できます。この製品を完成させ、インダストリー4.0に対応した設計を実現するために、XMC™ MCUで高まる接続ニーズをサポートします。

最高のセキュリティ基準を実現するOPTIGA™ Trustソリューションを推奨します。これらのデバイスをXENSIV™ファミリーのセンサーと組み合わせることで、設計により多くの感覚インテリジェンスをもたらし、予知保全などの革新的な機能を実現できます。

モーター駆動システムの独特で特殊な要件により、IGBT設計への新しいアプローチが求められています。適切なIGBT技術を使用すれば、これらのニーズに対応するためのより適切なモジュールを作成できます。インフィニオンは、最新世代のIGBT技術であるIGBT7でこのアプローチを採用しています。

チップレベルでは、IGBT7はマイクロパターントレンチ(MPT)を使用しており、その構造はドリフトゾーンでの順方向電圧の低減と導電率の向上に大きく貢献します。モーター制御、中程度のスイッチング周波数のアプリケーションの場合、IGBT7は前世代から損失を大幅に低減します。IGBT7が一世代前のIGBT4から提供したもう1つの改善点は、ドライブアプリケーション向けに最適化されたフリーホイールダイオードです。エミッター制御ダイオード EC7の順方向電圧降下は、EC4ダイオードの順方向電圧降下よりも100 mV低くなり、逆回復の柔らかさが向上しました。

業界全体でより多くの自動化が使用されるにつれて、それに応じてサーボモーターの需要が高まっています。正確なモーションコントロールと高トルクレベルを組み合わせる能力により、自動化やロボット工学に最適です。

インフィニオンは、その製造専門知識と長年の経験を活かして、IGBTよりも高性能でありながら、短絡耐量が2 μsまたは3 μsと同等の堅牢性を備えたSiCトレンチ技術を開発しました。インフィニオンの CoolSiC™ MOSFETは、容量性の誤ターンオンなど、SiCデバイスに固有の潜在的な問題にも対処します。さらに、SiC MOSFETは業界標準のTO-247-3パッケージだけでなく、スイッチング性能がさらに向上したTO-247-4パッケージでも提供しています。加えて、CoolSiC™ MOSFETはSMDパッケージTO-267-7でも入手可能です。これらのTOパッケージに加えて、SiC MOSFETはEasy 1B、Easy 2B、および62mmのモジュールパッケージでも入手可能です。

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