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650 V CoolMOS ™ 8

650 V CoolMOS™ 7 ファミリーの長所を組み合わせた高電圧スーパージャンクションMOSFETファミリー

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概要

650 V CoolMOS™ 8は、インフィニオンの最新の高電圧スーパージャンクションMOSFET技術です。幅広いアプリケーションをターゲットとした高速ボディダイオードを統合しています。サーバー、通信機器、ソリッドステート遮断器、ソリッドステートリレー、EV充電ステーションなどの高電力アプリケーションに重点を置いています。

主な機能

  • ハード&ソフトスイッチングに適合
  • スイッチング損失と導通損失の低減
  • 最高のシリコンRDS(on) *Aテクノロジー
  • 先進の相互接続技術
  • 統合高速ボディダイオード

製品

概要

650 V CoolMOS™ 8について

650 V CoolMOS™ 8は、前モデルよりも効率が向上しています。また、600V CoolMOS™ 8のポートフォリオも強化します。

650 Vと600 VのCoolMOS™ 8は、ハイラインとローラインで同様の性能を発揮します。600 Vと650 Vの全負荷性能の差は、主にRDS(on)によって駆動される導通損失に起因します。

主な機能

  • ハード&ソフトスイッチングに適合
  • スイッチング損失と導通損失の低減
  • 高度な相互接続技術
  • 高速ボディダイオードを内蔵
  • 最高のシリコンRDS(on)*Aテクノロジー

アプリケーションの使用法: ハードスイッチングとソフトスイッチングの両方に最適

CoolMOS™ 8は、PFCやLLCなどのソフトスイッチングトポロジーにおいて、最高の効率とクラス最高の(BiC)信頼性を提供します。さらに、PFCとLLCの両方のトポロジーで優れたレベルの性能を提供します。

さらに、CoolMOS™ 8は、最適化されたRDS(on)により、BiC製品を8 mΩの1桁に抑え、コスト魅力的なSiベースのソリューションを可能にし、ワイドバンドギャップ(WBG)製品を補完する、より高い電力密度を実現します。

主なアプリケーション

650 V CoolMOS™ 8について

650 V CoolMOS™ 8は、前モデルよりも効率が向上しています。また、600V CoolMOS™ 8のポートフォリオも強化します。

650 Vと600 VのCoolMOS™ 8は、ハイラインとローラインで同様の性能を発揮します。600 Vと650 Vの全負荷性能の差は、主にRDS(on)によって駆動される導通損失に起因します。

主な機能

  • ハード&ソフトスイッチングに適合
  • スイッチング損失と導通損失の低減
  • 高度な相互接続技術
  • 高速ボディダイオードを内蔵
  • 最高のシリコンRDS(on)*Aテクノロジー

アプリケーションの使用法: ハードスイッチングとソフトスイッチングの両方に最適

CoolMOS™ 8は、PFCやLLCなどのソフトスイッチングトポロジーにおいて、最高の効率とクラス最高の(BiC)信頼性を提供します。さらに、PFCとLLCの両方のトポロジーで優れたレベルの性能を提供します。

さらに、CoolMOS™ 8は、最適化されたRDS(on)により、BiC製品を8 mΩの1桁に抑え、コスト魅力的なSiベースのソリューションを可能にし、ワイドバンドギャップ(WBG)製品を補完する、より高い電力密度を実現します。

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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