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概要

最高の電力密度と効率は、チップを単独で使用するか、パワーモジュール内のシリコンパワーデバイスと組み合わせて使用することで実現できます。SiCダイオードは、IGBT技術の機能をさらに拡張することを可能にします。

主な機能
  • より高いスイッチング周波数
  • 大電流容量
  • ターンオン損失の大幅な低減
  • 利用可能な最高の性能

製品

概要

CoolSiC™ハイブリッドモジュールについて

蓄積された電荷が少ないため、最新のIGBTのターンオン損失を大幅に低減でき、相当する純粋なシリコンベースのソリューションと比較して、より高いスイッチング周波数および/またはより高い電流容量が可能になります。ターゲットアプリケーションで利用可能な最高の性能を活用する理想的なペアを形成するために特別な注意が払われたSiCダイオードとIGBTを組み合わせて実装したパワーモジュールを以下に示します。

主なアプリケーション

CoolSiC™ハイブリッドモジュールは、ソーラー、蓄電システム、EV充電、UPSなどのアプリケーション特有の要求を満たすように開発されました。

追加情報

SiCチップを搭載したパワーモジュール製品ラインアップは、SiCダイオードとシリコントランジスタの組み合わせ、または受賞歴のあるCoolSiC™技術を使用したSiCベースのトランジスタのいずれかを使用した、さらなる部品と共に段階的に拡充されています。

アプリケーションの電力に関係なく、当社のパワーモジュールSiCポートフォリオは、EasyPACK™ 1B/2BのようなパッケージからEasyPACK™ 3Bのようなより大きなパッケージに至るまで、より効率的な設計を可能にします。

CoolSiC™ハイブリッドモジュールについて

蓄積された電荷が少ないため、最新のIGBTのターンオン損失を大幅に低減でき、相当する純粋なシリコンベースのソリューションと比較して、より高いスイッチング周波数および/またはより高い電流容量が可能になります。ターゲットアプリケーションで利用可能な最高の性能を活用する理想的なペアを形成するために特別な注意が払われたSiCダイオードとIGBTを組み合わせて実装したパワーモジュールを以下に示します。

主なアプリケーション

CoolSiC™ハイブリッドモジュールは、ソーラー、蓄電システム、EV充電、UPSなどのアプリケーション特有の要求を満たすように開発されました。

追加情報

SiCチップを搭載したパワーモジュール製品ラインアップは、SiCダイオードとシリコントランジスタの組み合わせ、または受賞歴のあるCoolSiC™技術を使用したSiCベースのトランジスタのいずれかを使用した、さらなる部品と共に段階的に拡充されています。

アプリケーションの電力に関係なく、当社のパワーモジュールSiCポートフォリオは、EasyPACK™ 1B/2BのようなパッケージからEasyPACK™ 3Bのようなより大きなパッケージに至るまで、より効率的な設計を可能にします。

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