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概要

従来の非絶縁型ゲートドライバICの入力信号レベルは、ゲートドライバICのグランド電位を基準としています。 アプリケーションでゲートドライバICのグランド電位が過度にシフトすると、ゲートドライバICの誤ったトリガーが発生します。 インフィニオンの真の差動入力を備えたシングルチャネル非絶縁型 EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、設計におけるグランドシフトの課題を克服するのに役立ちます。

主な機能
  • 設定可能なコモンモードの堅牢性
  • 独立した低インピーダンス出力
  • +10ns/-7nsの伝搬遅延
  • 4 V/8 V UVLO オプション
  • 4 A/8 A ソース/シンク電流
  • コンパクトパッケージ
アプリケーション
コーヒーマシン – インバータとセンサー
スマート誘導コンロ–正確で効率的な加熱制御
IH炊飯器
電子レンジ
洗濯と乾燥

製品

概要

EiceDRIVER™、シングルチャネル、非絶縁型ゲートドライバ

1EDNx550非絶縁型ゲートドライバICは、小型6ピンSOT-23およびTSNPパッケージで提供されます。 真の差動入力により、優れた電力密度を備えたコスト効率の高いソリューションが可能になります。 他のゲートドライバICとは異なり、1EDNx550ファミリーの動作はゲートドライバGNDとはほとんど独立しています。 2つの制御入力間の電圧差のみがゲートドライバ出力の状態を決定します。 1EDNx550ファミリーは、誤ったトリガーのリスクを排除し、ケルビンソースMOSFETを備えたPFCなど、制御ICとゲートドライバICの間で大きなGNDシフトが発生しやすいアプリケーション設計に最適です。

真の差動入力がグランドシフトの課題を克服

1EDNx550xゲートドライバICは、真の差動入力を備えています。 それらの制御信号入力は、接地電位からほとんど独立しています。 2つの入力接点間の電圧差のみが、出力が「オン」または「オフ」であるかどうかを決定します。 これにより、非常にエレガントで堅牢な方法でパワーMOSFETの誤ったトリガーが防止され、パワーMOSFETの電気的オーバーストレス(EOS)が排除されます。 これらの製品は、小型6ピンSOTパッケージと超小型TSNPパッケージで供給されます。

ゲートドライバのグランドシフトはゲートドライバICが配置されている場所と制御ICが存在する場所との間の寄生グランドインダクタンスによって引き起こされる可能性があります。 これら2つのIC間の距離が比較的長いアプリケーションでは、その傾向にあります。 単層または二層PCB材料を使用する必要性, 多層PCBとは対照的に, 根本的な原因の1つである可能性があります. 産業機器向け設計要件や、ドーターカードに制御ICを搭載することもできます。

ゲートドライバのグランドシフトの2つ目の理由はゲートドライバICとそれによって駆動されるMOSFETとの間の寄生ソースインダクタンスです。 これは、PFCや同期整流段などのハードスイッチングアプリケーションに特に関係があります。

さまざまな困難なスイッチング環境に対応する堅牢な技術

真に多様な入力の1EDNファミリー、ケルビンソースMOSFETを備えた昇圧PFC、インターリーブPFC、フルブリッジ同期整流器など、さまざまなアプリケーションで使用できます。 さらに、48V〜12V の中間バスコンバーター、昇降圧コンバーター、および低電圧および中電圧アプリケーション用のハーフブリッジも使用できます。

EiceDRIVER™、シングルチャネル、非絶縁型ゲートドライバ

1EDNx550非絶縁型ゲートドライバICは、小型6ピンSOT-23およびTSNPパッケージで提供されます。 真の差動入力により、優れた電力密度を備えたコスト効率の高いソリューションが可能になります。 他のゲートドライバICとは異なり、1EDNx550ファミリーの動作はゲートドライバGNDとはほとんど独立しています。 2つの制御入力間の電圧差のみがゲートドライバ出力の状態を決定します。 1EDNx550ファミリーは、誤ったトリガーのリスクを排除し、ケルビンソースMOSFETを備えたPFCなど、制御ICとゲートドライバICの間で大きなGNDシフトが発生しやすいアプリケーション設計に最適です。

真の差動入力がグランドシフトの課題を克服

1EDNx550xゲートドライバICは、真の差動入力を備えています。 それらの制御信号入力は、接地電位からほとんど独立しています。 2つの入力接点間の電圧差のみが、出力が「オン」または「オフ」であるかどうかを決定します。 これにより、非常にエレガントで堅牢な方法でパワーMOSFETの誤ったトリガーが防止され、パワーMOSFETの電気的オーバーストレス(EOS)が排除されます。 これらの製品は、小型6ピンSOTパッケージと超小型TSNPパッケージで供給されます。

ゲートドライバのグランドシフトはゲートドライバICが配置されている場所と制御ICが存在する場所との間の寄生グランドインダクタンスによって引き起こされる可能性があります。 これら2つのIC間の距離が比較的長いアプリケーションでは、その傾向にあります。 単層または二層PCB材料を使用する必要性, 多層PCBとは対照的に, 根本的な原因の1つである可能性があります. 産業機器向け設計要件や、ドーターカードに制御ICを搭載することもできます。

ゲートドライバのグランドシフトの2つ目の理由はゲートドライバICとそれによって駆動されるMOSFETとの間の寄生ソースインダクタンスです。 これは、PFCや同期整流段などのハードスイッチングアプリケーションに特に関係があります。

さまざまな困難なスイッチング環境に対応する堅牢な技術

真に多様な入力の1EDNファミリー、ケルビンソースMOSFETを備えた昇圧PFC、インターリーブPFC、フルブリッジ同期整流器など、さまざまなアプリケーションで使用できます。 さらに、48V〜12V の中間バスコンバーター、昇降圧コンバーター、および低電圧および中電圧アプリケーション用のハーフブリッジも使用できます。

ドキュメント

ドキュメント

ニュースおよびハイライト

シングルチャネル非絶縁型ゲートドライバ│EiceDRIVER™ 1EDN TDI

お客様の設計におけるグランドシフトの課題を克服するために、インフィニオンは、真の差動入力を備えたシングルチャネルの非絶縁型EiceDRIVER™ゲートドライバーICを提供しています。当社の専門家がコンセプトを説明し、デモボードの概要を説明します。

MOSFETゲートドライバーIC評価キット - EiceDRIVER™ 1EDN TDIの使用

この評価キットは、インフィニオンの1チャネルローサイド4/8AゲートドライバIC用のテストプラットフォームを提供します。1EDN - 堅牢性と低消費電力の新たな基準。

TDI搭載シングルチャネル非絶縁型ゲートドライバIC、超小型TSNPパッケージ

1EDN7550Uは非絶縁型ゲートドライバICで、超小型のTSNPパッケージで提供されます。真の差動入力により、優れた電力密度を備えたコスト効率の高いソリューションが可能になります。

非絶縁型ローサイド・ゲート・ドライバを超えて、真の差動入力を実現

4ピンCoolMOS™設計のPFCブーストは、真の差動入力を備えた非絶縁型MOSFETゲートドライバを使用します。既存の絶縁型ゲート・ドライバ・ソリューションと比較した利点は、明確に観察できます。