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概要

ワイドバンドギャップ半導体は、より高い電界強度を可能にするため、シリコンの代替品と比較してトランジスタが大幅に小さくなります。 その結果、GaN高電子移動度トランジスタ (HEMT) は、効率を損なうことなく高いスイッチング周波数で動作できます。 多くのエンハンスメントモードGaN HEMT は、ショットキータイプのゲートを使用して、標準的な絶縁MOSFET ゲートをエミュレートします。

主な機能
  • 高速ターンオン / ターンオフスルーレート
  • 低インダクタンスパッケージ
  • 高dV/dtでの堅牢なCMR
  • アクティブミラークランプ
  • 誘導ターンオンへの耐性
  • 安定化ブートストラップ電圧
アプリケーション
小型電気自動車ソリューション
マルチコプターとドローン
パワー オプティマイザー ソリューション
ロボティクス
コードレス電動工具と屋外用電動機器
通信インフラ向けのDC-DC 電力変換
48 V中間バスコンバーター (IBC)

製品

概要

CoolGaN™ SG HEMT の主な機能

GaNショットキーゲート(SG)HEM Tは、必要な駆動電圧 (通常5V) と互換性のある任意のゲートドライバーで駆動できます。 ただし、スイッチから最高レベルのパフォーマンスを実現するには、次のようないくつかの主要な機能があります。

  • ソースおよびシンクの駆動電流における高速ターンオンおよびターンオフスルーレート、および低いプルアップおよびプルダウン抵抗
  • 最適化されたGaN PCBレイアウトと互換性のあるフットプリントとピン配置を備えた低インダクタンスパッケージ
  • 高dV/dtでの堅牢なコモンモード電圧除去により、最速のスイッチングと最小のスイッチング損失をサポート
  • 高dV/dt時の誘導ターンオンを軽減する機能(アクティブミラークランプや負のオフ状態駆動電圧など)
  • 伝搬遅延の許容誤差が厳しく、デッドタイムを短縮
EiceDRIVER™ ゲートドライバ製品ポートフォリオGaN SG HEMT向け

1EDN71x6Gx は、インフィニオンのCoolGaN™ ショットキーゲート (SG) HEMT の制御のみでなく、その他の GaN SG HEMT およびSi MOSFET 向けに最適化されたシングルチャネルゲート ドライバーIC 製品ファミリーです。このゲートドライバーは、真の差動入力 (TDI)、4つの駆動強度オプション、アクティブ ミラー クランプ、ブートストラップ電圧クランプ、PG-SON-10 およびPG-TSNP-7パッケージの調整可能なチャージポンプの有無など、高速スイッチング トランジスタによる高性能システム設計を可能にするいくつかの主要機能を備えています。

EiceDRIVER™ 1EDN71x6x ファミリーの詳細をご覧ください
CoolGaN™ SG HEMT ターゲットアプリケーション

高効率と高電力密度は、最先端のGaN HEMT によって可能になる最新のパワーエレクトロニクスシステムにとって重要な要件です。適切なゲートドライバーIC は、設計者がGaN ベースのシステムで最高の性能を達成すると同時に、研究開発の労力と関連コストを最小限に抑えるのに役立ちます。

CoolGaN™ SG HEMT の主な機能

GaNショットキーゲート(SG)HEM Tは、必要な駆動電圧 (通常5V) と互換性のある任意のゲートドライバーで駆動できます。 ただし、スイッチから最高レベルのパフォーマンスを実現するには、次のようないくつかの主要な機能があります。

  • ソースおよびシンクの駆動電流における高速ターンオンおよびターンオフスルーレート、および低いプルアップおよびプルダウン抵抗
  • 最適化されたGaN PCBレイアウトと互換性のあるフットプリントとピン配置を備えた低インダクタンスパッケージ
  • 高dV/dtでの堅牢なコモンモード電圧除去により、最速のスイッチングと最小のスイッチング損失をサポート
  • 高dV/dt時の誘導ターンオンを軽減する機能(アクティブミラークランプや負のオフ状態駆動電圧など)
  • 伝搬遅延の許容誤差が厳しく、デッドタイムを短縮

EiceDRIVER™ ゲートドライバ製品ポートフォリオGaN SG HEMT向け

1EDN71x6Gx は、インフィニオンのCoolGaN™ ショットキーゲート (SG) HEMT の制御のみでなく、その他の GaN SG HEMT およびSi MOSFET 向けに最適化されたシングルチャネルゲート ドライバーIC 製品ファミリーです。このゲートドライバーは、真の差動入力 (TDI)、4つの駆動強度オプション、アクティブ ミラー クランプ、ブートストラップ電圧クランプ、PG-SON-10 およびPG-TSNP-7パッケージの調整可能なチャージポンプの有無など、高速スイッチング トランジスタによる高性能システム設計を可能にするいくつかの主要機能を備えています。

EiceDRIVER™ 1EDN71x6x ファミリーの詳細をご覧ください

CoolGaN™ SG HEMT ターゲットアプリケーション

高効率と高電力密度は、最先端のGaN HEMT によって可能になる最新のパワーエレクトロニクスシステムにとって重要な要件です。適切なゲートドライバーIC は、設計者がGaN ベースのシステムで最高の性能を達成すると同時に、研究開発の労力と関連コストを最小限に抑えるのに役立ちます。

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