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概要

GaN HEMT技術用に設計されたEiceDRIVER™ゲートドライバIC

GaN HEMTは、最新のパワーエレクトロニクスシステムの重要な技術であり、高効率と電力密度を提供します。 インフィニオンの CoolGaN™ HEMTファミリーとEiceDRIVER™ゲートドライバICは、GaNベースのシステムで可能な限り最高の性能を提供するように設計されており、研究開発の労力とコストを最小限に抑えます。 インフィニオンは、GaN GIT (ゲートインジェクショントランジスタ) およびSG (ショットキーゲート) HEMTの駆動用に最適化されたEiceDRIVER™ゲートドライバICを幅広く提供しています。

EiceDRIVER™ ゲートドライバIC製品ポートフォリオ

インフィニオンのCoolGaN™ GIT技術コンセプトの仕様に対応するために、オーダーメイドのEiceDRIVER™ 1EDx56x3ゲートドライバICには、革新的な差動ゲートドライブコンセプトが実装されています。 これらのドライバは、高電圧GaNスイッチの堅牢で高効率な動作を保証すると同時に、研究開発の労力を最小限に抑え、市場投入までの時間を短縮します。 しかし多くのアプリケーションでは、RC回路と組み合わせて必要な小さな定常状態電流とターンオン/ターンオフピーク電流の両方を生成することで、適切なUVLO保護を備えた標準のゲートドライバICを使用することもできます。 EiceDRIVER™ 2EDxx259製品ファミリーのデュアルチャネルドライバは、デッドタイム制御とシュートスルー保護を備えており、単一のICを使用してハーフブリッジトポロジーでの安全な動作を保証します。 要約すると、EiceDRIVER™ファミリーのシングルチャネルおよびデュアルチャネルゲートドライバICは、高性能電力変換アプリケーションで効率、電力密度、堅牢性の最適な組み合わせを実現するために、インフィニオンの CoolGaN™ GIT HEMTおよびその他の650V GaN HEMT技術 (ショットキーゲート、カスコードなど)と組み合わせるための最良の選択肢です。

最高の効率と電力密度の設計に最適化

高効率と高電力密度は、最先端のGaN HEMTによって実現される最新のパワーエレクトロニクスシステムの重要な要件です。 適切なゲートドライバICは、設計者がGaNベースのシステムで最高の性能を達成すると同時に、研究開発の労力と関連コストを最小限に抑えるのに役立ちます。 高性能のCoolGaN™ HEMTファミリーに加えて、インフィニオンは、ターゲットアプリケーションにクラス最高のシステム ソリューションを提供するために戦略的に設計された、CoolGaN™ SG HEMTおよびCoolGaN™ GIT HEMTの駆動用に最適化された幅広いEiceDRIVER™ゲートドライバICを提供しています。

最高のCoolGaN™ SGおよびGIT HEMT用に設計されたゲートドライバIC

これら2つの構造の主な違いの1つはゲートメタライゼーションです: GIT HEMTはオーミックゲート接点を使用し、SG HEMTはショットキーゲート接点を使用します。GITゲートは非絶縁であるため、ゲートとチャネル間の等価ダイオードの自己クランプ特性により、過電圧に対して非常に堅牢です。 ショットキーゲートはバックツーバックダイオードによって「半絶縁」されており、従来のMOSFETゲート同様、大電流は流れません。

GaN HEMT技術用に設計されたEiceDRIVER™ゲートドライバIC

GaN HEMTは、最新のパワーエレクトロニクスシステムの重要な技術であり、高効率と電力密度を提供します。 インフィニオンの CoolGaN™ HEMTファミリーとEiceDRIVER™ゲートドライバICは、GaNベースのシステムで可能な限り最高の性能を提供するように設計されており、研究開発の労力とコストを最小限に抑えます。 インフィニオンは、GaN GIT (ゲートインジェクショントランジスタ) およびSG (ショットキーゲート) HEMTの駆動用に最適化されたEiceDRIVER™ゲートドライバICを幅広く提供しています。

EiceDRIVER™ ゲートドライバIC製品ポートフォリオ

インフィニオンのCoolGaN™ GIT技術コンセプトの仕様に対応するために、オーダーメイドのEiceDRIVER™ 1EDx56x3ゲートドライバICには、革新的な差動ゲートドライブコンセプトが実装されています。 これらのドライバは、高電圧GaNスイッチの堅牢で高効率な動作を保証すると同時に、研究開発の労力を最小限に抑え、市場投入までの時間を短縮します。 しかし多くのアプリケーションでは、RC回路と組み合わせて必要な小さな定常状態電流とターンオン/ターンオフピーク電流の両方を生成することで、適切なUVLO保護を備えた標準のゲートドライバICを使用することもできます。 EiceDRIVER™ 2EDxx259製品ファミリーのデュアルチャネルドライバは、デッドタイム制御とシュートスルー保護を備えており、単一のICを使用してハーフブリッジトポロジーでの安全な動作を保証します。 要約すると、EiceDRIVER™ファミリーのシングルチャネルおよびデュアルチャネルゲートドライバICは、高性能電力変換アプリケーションで効率、電力密度、堅牢性の最適な組み合わせを実現するために、インフィニオンの CoolGaN™ GIT HEMTおよびその他の650V GaN HEMT技術 (ショットキーゲート、カスコードなど)と組み合わせるための最良の選択肢です。

最高の効率と電力密度の設計に最適化

高効率と高電力密度は、最先端のGaN HEMTによって実現される最新のパワーエレクトロニクスシステムの重要な要件です。 適切なゲートドライバICは、設計者がGaNベースのシステムで最高の性能を達成すると同時に、研究開発の労力と関連コストを最小限に抑えるのに役立ちます。 高性能のCoolGaN™ HEMTファミリーに加えて、インフィニオンは、ターゲットアプリケーションにクラス最高のシステム ソリューションを提供するために戦略的に設計された、CoolGaN™ SG HEMTおよびCoolGaN™ GIT HEMTの駆動用に最適化された幅広いEiceDRIVER™ゲートドライバICを提供しています。

最高のCoolGaN™ SGおよびGIT HEMT用に設計されたゲートドライバIC

これら2つの構造の主な違いの1つはゲートメタライゼーションです: GIT HEMTはオーミックゲート接点を使用し、SG HEMTはショットキーゲート接点を使用します。GITゲートは非絶縁であるため、ゲートとチャネル間の等価ダイオードの自己クランプ特性により、過電圧に対して非常に堅牢です。 ショットキーゲートはバックツーバックダイオードによって「半絶縁」されており、従来のMOSFETゲート同様、大電流は流れません。

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