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概要

ワイドバンドギャップ半導体は、より高い電界強度を可能にするため、シリコンの代替品と比較して、高電圧スイッチが大幅に小さくなります。 その結果、GaNベースのパワーデバイスは、効率を損なうことなく高いスイッチング周波数で動作できます。 インフィニオンの CoolGaN™ ゲートインジェクショントランジスタ (GIT) 技術は、p-GaNゲートを備えたハイブリッドドレインHEMTをベースにしており、堅牢なノーマルオフパワースイッチを実現しています。

主な機能
  • 高速ターンオン / ターンオフスルーレート
  • 短い伝搬遅延
  • CMTI の堅牢性を拡張
  • 低電圧監視オプション
  • シュートスルー保護オプション
  • デッドタイム制御 (DTC) オプション
  • 高速出力クランプ
  • 低インピーダンス出力
アプリケーション
通信インフラ向けのAC-DCコンバーター
スマートテレビ向けの完全なシステムソリューション
エネルギー貯蔵システム
モーター制御
サーバー電源ユニット (PSU)
MCUソリューション

製品

概要

高電圧GaNスイッチ用のシングルチャネル絶縁型ゲートドライバIC

インフィニオンのCoolGaN™ゲートインジェクショントランジスタのコンセプトの特殊性に対処するために、EiceDRIVER™ 1EDx56x3製品ファミリーのオーダーメイドのゲートドライバICに革新的な差動ゲートドライブコンセプトが実装されています。 CoolGaN™ eモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER™ IC、1EDF5673K、1EDF5673F、および1EDS5663Hによって最適に駆動されます。 堅牢で高効率の高電圧GaNスイッチ動作を保証すると同時に、研究開発の労力を最小限に抑え、市場投入までの時間を短縮します。

CoolGaN™ GIT HEMT用に最適化されたデュアルチャネルゲートドライバICポートフォリオ

EiceDRIVER™ 2EDxx259製品ファミリーのデュアルチャネルドライバは、デッドタイム制御 (DTC) とシュートスルー保護 (STP) を備えており、単一のICを使用してハーフブリッジトポロジーでの安全な動作を保証します。 EiceDRIVER™ 1EDBx275Fと1EDNx550Bの2つのシングルチャネルゲートドライバICで構成されるハーフブリッジトポロジーのハイブリッドゲート駆動構成により、PCB上のドライバICの配置を最適化して、ゲートループの寄生インダクタンスを最小限に抑えることができます。 これにより、(デュアルチャネルゲートドライバICと比較して) PCB面積が節約され、非常に競争力のある部品表 (BOM) が付属しています。

GaNベースの技術のための最高の効率と電力密度

650 V GaN HEMT用のゲートドライバICには、非常に高速なトランジェントと低いスイッチング損失を備えた安全なオフ状態など、多くの利点があります。 また、デッドタイムが小さく、スイッチングノイズに対する優れた耐性も備えています。 その他の機能には、安全な動作範囲を維持するためのハードウェアベースの保護や、最初のパルス時またはバーストモード動作後でもスプリアススタートを回避することが含まれます。 また、高いスイッチング周波数でも信頼性の高い動作が可能です。

高電圧GaNスイッチ用のシングルチャネル絶縁型ゲートドライバIC

インフィニオンのCoolGaN™ゲートインジェクショントランジスタのコンセプトの特殊性に対処するために、EiceDRIVER™ 1EDx56x3製品ファミリーのオーダーメイドのゲートドライバICに革新的な差動ゲートドライブコンセプトが実装されています。 CoolGaN™ eモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER™ IC、1EDF5673K、1EDF5673F、および1EDS5663Hによって最適に駆動されます。 堅牢で高効率の高電圧GaNスイッチ動作を保証すると同時に、研究開発の労力を最小限に抑え、市場投入までの時間を短縮します。

CoolGaN™ GIT HEMT用に最適化されたデュアルチャネルゲートドライバICポートフォリオ

EiceDRIVER™ 2EDxx259製品ファミリーのデュアルチャネルドライバは、デッドタイム制御 (DTC) とシュートスルー保護 (STP) を備えており、単一のICを使用してハーフブリッジトポロジーでの安全な動作を保証します。 EiceDRIVER™ 1EDBx275Fと1EDNx550Bの2つのシングルチャネルゲートドライバICで構成されるハーフブリッジトポロジーのハイブリッドゲート駆動構成により、PCB上のドライバICの配置を最適化して、ゲートループの寄生インダクタンスを最小限に抑えることができます。 これにより、(デュアルチャネルゲートドライバICと比較して) PCB面積が節約され、非常に競争力のある部品表 (BOM) が付属しています。

GaNベースの技術のための最高の効率と電力密度

650 V GaN HEMT用のゲートドライバICには、非常に高速なトランジェントと低いスイッチング損失を備えた安全なオフ状態など、多くの利点があります。 また、デッドタイムが小さく、スイッチングノイズに対する優れた耐性も備えています。 その他の機能には、安全な動作範囲を維持するためのハードウェアベースの保護や、最初のパルス時またはバーストモード動作後でもスプリアススタートを回避することが含まれます。 また、高いスイッチング周波数でも信頼性の高い動作が可能です。

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