これは機械翻訳されたコンテンツです。 詳しくは こちらをご覧ください。

概要

インフィニオンは、1200V産業用ドライブ、商用空調、または汎用モータ制御およびインバーターアプリケーション向けに調整された三相、ハーフブリッジ、ハイサイドおよびローサイドゲートドライバICを提供しています。

主な機能
  • 低い静止電流
  • さまざまな入力オプション
  • 標準ピン配置およびパッケージ
  • クロス導通保護回路
アプリケーション
モーター制御
住宅用エアコン

製品

概要

EiceDRIVER™ 1200 V レベルシフトゲートドライバ IC

インフィニオンは、機能絶縁を必要とする1200 Vアプリケーション向けに業界をリードするレベルシフトゲートドライバICのポートフォリオを提供しています。

これらのドライバは、過電流保護 (OCP)、非飽和 (DESAT)、低電圧ロックアウト (UVLO)、クロス導通防止ロジック、障害、イネーブル、シャットダウンなどのサトゥス・インジケータなどの保護機能を備えた、さまざまな三相、ハーフブリッジ、またはハイサイドおよびローサイド構成で入手可能です。ステータス表示 (フォルト)、イネーブル、およびシャットダウン制御信号も利用できます。

1200Vゲートドライバは、インフィニオンのレベルシフト接合絶縁技術またはインフィニオン独自のSOI(Silicon-on-Insulator)技術を採用しています。

EiceDRIVER™ ゲートドライバIC の特長とアプリケーション

1200Vレベルシフト・ゲート・ドライバICは、汎用ドライブ、ポンプ、ヒートポンプ、ファン、最大12kWの商用エアコン、家庭用エアコンなど、さまざまな電力電装アプリケーションで1200V TRECHSTOP™ IGBT、1200V CoolSiC™ MOSFET、1200V EconoPIM™およびEasyPACK™モジュールを駆動します。

EiceDRIVER ™レベルシフト シリコン オン インシュレーター (SOI) 技術

インフィニオンのシリコン オン インシュレーター (SOI) 技術は、高電圧のレベルシフト技術であり、内蔵ブートストラップダイオード (BSD) や業界最高クラスの堅牢性など、独自の利点を提供し、負の過渡電圧スパイクから保護します。各トランジスタは埋め込まれたシリコン酸化膜によって絶縁されているため、ラッチアップの原因となる寄生バイポーラトランジスタが排除されます。この技術はレベルシフトによる電力損失を低減し、またデバイスのスイッチング損失を最小限に抑えることができます。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

詳細はこちら
EiceDRIVER™ 1200 V レベルシフトゲートドライバ IC

pn 接合絶縁 (JI) 技術は、成熟した実証済みの業界標準のMOS/CMOS 製造技術です。当社独自の高電圧集積回路 (HVIC) およびラッチ耐性CMOS 技術により、堅牢なモノリシック構造を実現します。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

詳細はこちら

EiceDRIVER™ 1200 V レベルシフトゲートドライバ IC

インフィニオンは、機能絶縁を必要とする1200 Vアプリケーション向けに業界をリードするレベルシフトゲートドライバICのポートフォリオを提供しています。

これらのドライバは、過電流保護 (OCP)、非飽和 (DESAT)、低電圧ロックアウト (UVLO)、クロス導通防止ロジック、障害、イネーブル、シャットダウンなどのサトゥス・インジケータなどの保護機能を備えた、さまざまな三相、ハーフブリッジ、またはハイサイドおよびローサイド構成で入手可能です。ステータス表示 (フォルト)、イネーブル、およびシャットダウン制御信号も利用できます。

1200Vゲートドライバは、インフィニオンのレベルシフト接合絶縁技術またはインフィニオン独自のSOI(Silicon-on-Insulator)技術を採用しています。

EiceDRIVER™ ゲートドライバIC の特長とアプリケーション

1200Vレベルシフト・ゲート・ドライバICは、汎用ドライブ、ポンプ、ヒートポンプ、ファン、最大12kWの商用エアコン、家庭用エアコンなど、さまざまな電力電装アプリケーションで1200V TRECHSTOP™ IGBT、1200V CoolSiC™ MOSFET、1200V EconoPIM™およびEasyPACK™モジュールを駆動します。

EiceDRIVER ™レベルシフト シリコン オン インシュレーター (SOI) 技術

インフィニオンのシリコン オン インシュレーター (SOI) 技術は、高電圧のレベルシフト技術であり、内蔵ブートストラップダイオード (BSD) や業界最高クラスの堅牢性など、独自の利点を提供し、負の過渡電圧スパイクから保護します。各トランジスタは埋め込まれたシリコン酸化膜によって絶縁されているため、ラッチアップの原因となる寄生バイポーラトランジスタが排除されます。この技術はレベルシフトによる電力損失を低減し、またデバイスのスイッチング損失を最小限に抑えることができます。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

詳細はこちら

EiceDRIVER™ 1200 V レベルシフトゲートドライバ IC

pn 接合絶縁 (JI) 技術は、成熟した実証済みの業界標準のMOS/CMOS 製造技術です。当社独自の高電圧集積回路 (HVIC) およびラッチ耐性CMOS 技術により、堅牢なモノリシック構造を実現します。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

詳細はこちら

ドキュメント

ドキュメント

ニュースおよびハイライト

インフィニオンのSOIゲートドライバ技術の利点

1200Vシリコン・オン・インシュレーターは、マーケットリーダーのレベルシフト・ゲート・ドライバーです。このビデオでは、インフィニオンのSOIを使用した製品の利点を紹介しています。例:ブートストラップダイオードを内蔵し、レベルシフト損失が少ないため、スペースとコストを節約できます。

インフィニオンのゲートドライバーの紹介

ゲートドライバーとは?ゲートドライバーを使用する理由ゲートドライバーの使い方は?紹介ビデオを見て、ゲートドライバーのエキスパートになりましょう。