Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S26KS512SDPBHV020

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S26KS512SDPBHV020
S26KS512SDPBHV020

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • インターフェース帯域幅
    333 MByte/s
  • バス幅
    x8
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    96 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERFLASH
  • 認定
    Industrial
OPN
S26KS512SDPBHV020
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S26KS512SDPBHV020は、HYPERBUS™ DDRインターフェース対応の512 Mb(64 MB)HYPERFLASH™ NORフラッシュメモリで、1.8 V・166 MHz時に最大333 MBpsの持続読み出し速度を実現します。8ビットデータバス、1.8 V動作、24ボールFBGAパッケージ、10万回の書き換え、20年データ保持、ECC、CRC、高度なセクタ保護機能を搭載。-40°C~+105°C(AEC-Q100グレード2)で動作し、高速・高信頼性が求められる車載、産業用途に最適です。

機能

  • 3.0 V I/O、11本バス信号
  • 1.8 V I/O、12本バス信号
  • 最大333 MBps持続読出スループット
  • DDR:クロック毎に2回データ転送
  • 8ビットデータバス(DQ[7:0])
  • 96ns初期ランダムリードアクセス
  • 512バイトプログラムバッファ
  • ECC:1ビット訂正、2ビット検出
  • ハードウェアCRC計算
  • セキュアシリコン領域(1024バイトOTP)
  • 高度なセクタ保護方式
  • 低消費電力モード:スタンバイ25µA、深パワーダウン8µA

利点

  • 高スループットで高速データアクセス
  • DDRでシステム性能向上
  • 8ビットバスで統合が容易
  • 高速ランダムアクセスで遅延低減
  • 大容量バッファで書込高速化
  • ECCでデータ信頼性確保
  • CRCでエラー迅速検出
  • セキュア領域で重要データ保護
  • 柔軟なセクタ保護で安全性向上
  • 低消費電力で電池長持ち

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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