Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FL512SDSMFBG10

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S25FL512SDSMFBG10
S25FL512SDSMFBG10
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • インターフェース帯域幅
    80 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S25FL512SDSMFBG10
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 2400
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 2400
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S25FL512SDSMFBG10は512 Mb（64 MB）のSPI NORフラッシュメモリで、インフィニオンの65 nm MIRRORBIT™技術とEclipse™アーキテクチャを採用し、シングル、デュアル、クワッドI/OおよびDDRコマンドによる高速動作を実現します。コア電圧2.7 V～3.6 V、I/O電圧1.65 V～3.6 V、最高125°Cの車載用途に対応。高度なセクタ保護、OTPセキュリティ、AEC-Q100認証で高信頼性を確保します。

機能

  • CMOS 3.0 Vコアと多用途I/O
  • SPIインターフェース多I/O対応
  • 512 Mb (64 MB)容量
  • SPIクロック最大133 MHz
  • クアッド/デュアル/DDRリード
  • 512バイトページプログラムバッファ
  • 自動ECC単一ビット訂正
  • 均一256 KBセクタ
  • 10万回書換え耐久性
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTPセキュア領域
  • ブロック・高度セクタ保護

利点

  • 多用途I/Oで柔軟な設計
  • マルチI/O SPIで高速転送
  • 大容量で多様な保存
  • 133 MHz SPIで高速アクセス
  • クアッド/DDRで読出し高速
  • 大バッファで書込速度向上
  • ECCで信頼性向上
  • 均一セクタで管理容易
  • 高耐久で長寿命
  • 20年データ安全
  • OTP領域でセキュリティ強化
  • 高度保護でデータ安全

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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