Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

ISP670P06NMA

P-channel power MOSFETs 60 V in SOT-223 package for automotive applications
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISP670P06NMA
ISP670P06NMA
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -6.4 A
  • IDpuls max
    -25.6 A
  • QG (typ @10V)
    -36 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    67 mΩ
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -2.1 V to -4 V
  • パッケージ
    SOT-223
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    P
推奨
OPN
ISP670P06NMAXTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
ISP670P06NMA features a low RDS(on) of 0.167 Ohm for easy power loss management making it the best-in-class MOSFET in a SOT-223 package targeted for automotive application. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity.In addition, the avalanche ruggedness capability of this MOSFET makes it suitable for high demanding applications.

機能

  • Automotive qualification
  • Lowest RDS(on) in portfolio
  • Supports a wide variety of applications
  • Robust, reliable performance

利点

  • Quality and reliability
  • Low conduction lossses
  • Long production lifetime and support
  • Extention of battery lifetime

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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