ISP670P06NMA
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

ISP670P06NMA

P-channel power MOSFETs 60 V in SOT-223 package for automotive applications
データシート
パッケージ
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在庫あり

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ISP670P06NMA
ISP670P06NMA
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -6.4 A
  • IDpuls (最大)
    -25.6 A
  • QG (typ @10V)
    -36 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    67 mΩ
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th) 範囲
    -2.1 V～-4 V
  • パッケージ
    SOT-223
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    P
推奨
OPN
ISP670P06NMAXTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
ISP670P06NMA features a low RDS(on) of 0.167 Ohm for easy power loss management making it the best-in-class MOSFET in a SOT-223 package targeted for automotive application. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity.In addition, the avalanche ruggedness capability of this MOSFET makes it suitable for high demanding applications.

特長

  • Automotive qualification
  • Lowest RDS(on) in portfolio
  • Supports a wide variety of applications
  • Robust, reliable performance

利点

  • Quality and reliability
  • Low conduction lossses
  • Long production lifetime and support
  • Extention of battery lifetime

アプリケーション

自動車
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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