ISC016N06NM5SC
Active and preferred
RoHS対応

ISC016N06NM5SC

OptiMOS™ 5 60 V Switching-OptimizedパワーMOSFET (PQFN 5x6 両面放熱ドレインダウンパッケージ)
データシート
パッケージ

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ISC016N06NM5SC
ISC016N06NM5SC
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    249 A
  • IDpuls (最大)
    996 A
  • Ptot (最大)
    188 W
  • QG (typ @10V)
    74 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.6 mΩ
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V～3.3 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Dual-Side Cooling
推奨
OPN
ISC016N06NM5SCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6 DSC
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6 DSC
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
OptiMOS™ 5 Switching-OptimizedパワーMOSFET (60 V、PQFN 5x6両面放熱ドレインダウン パッケージ) は、AI、データセンター、通信の電力変換向けに低 RDS(on)、スイッチング損失の低減、強力な熱性能を実現します。ドレインダウンDSC 5x6パッケージは、高電流密度とコンパクトな電源アーキテクチャを実現し、高密度データセンター サーバーのGPU/アクセラレーター レールの効率、過渡特性、信頼性の目標を満たします。

特長

  • 低RDS(on)、最適化されたスイッチング損失
  • 高速スイッチングのための低インダクタンス
  • 低電圧オーバーシュート
  • 高度なAIトポロジー向けに最適化
  • 高周波向けの低Qg/Qoss
  • PQFN 5x6、両面放熱パッケージ

利点

  • 使いやすさ
  • 最高のシステム効率
  • 低い導通損失とスイッチング損失
  • 高い変換効率、低い発熱
  • 業界標準となる信頼性
  • 高い電力密度
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ