IRHYS9A97230CM
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IRHYS9A97230CM
IRHYS9A97230CM
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    -14 A
  • QG
    49 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    175 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF (最大)
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    P
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHYS9A97230CM P-channel MOSFET is rad hard, with -200V and -14A, in a singleTO-257AA low ohmic package with electrical performance up to 100krad(Si) TID. IR HiRel R9 technology provides proven flight-heritage in high reliability space applications. The device's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ