新覝設計㝯非推奨

IRHNM597110

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.

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IRHNM597110
IRHNM597110

Product details

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    -2 A
  • ID (@25°C) max
    -3.1 A
  • QG
    11 nC
  • QPL型番
    2N7506U8
  • RDS (on) (@25°C) max
    1200 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製哝ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ坝 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ坝 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHNM597110 is a R5, rad hard, -100V, -3.1A, single, P-channel MOSFET in a SMD-0.2 package. It has electrical performance up to 100krad(Si) TID and has low RDS(on) and low gate charge, making it suitable for switching applications such as DC-DC converters and motor controllers, while retaining the advantages of MOSFETs.

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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