IRHNJ57130SCSB
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IRHNJ57130SCSB

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IRHNJ57130SCSB
IRHNJ57130SCSB

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    16 A
  • ID (@25°C) (最大)
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7481U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    75 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The rad hard R5 N-channel MOSFET IRHNJ57130SCSB in SMD-0.5 package offers electrical performance up to 100krad(Si) TID and QIRL classification. It has a voltage rating of 100V and maximum current of 22A. Its low RDS(on) and gate charge result in low power losses in switching applications. The device is highly reliable and qualified for space applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }