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IRHNA57Z60

データシート
パッケージ

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IRHNA57Z60
IRHNA57Z60
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    75 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    200 nC
  • QPL型番
    2N7467U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    3.5 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNA57Z60 rad hard single N-channel MOSFET is perfect for space applications, featuring 30V and 75A capabilities. The low RDS(on) and gate charge reduce power losses in switching applications, while retaining MOSFET's advantages. These R5 COTS devices are characterized for both Total Dose and Single Event Effects (SEE) with electrical performance up to 100krad(Si) TID and come in a SMD-2 package.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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