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IRHNA57Z60

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IRHNA57Z60
IRHNA57Z60
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    75 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    200 nC
  • QPL型番
    2N7467U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    3.5 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-2 standard
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-2 standard
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHNA57Z60 rad hard single N-channel MOSFET is perfect for space applications, featuring 30V and 75A capabilities. The low RDS(on) and gate charge reduce power losses in switching applications, while retaining MOSFET's advantages. These R5 COTS devices are characterized for both Total Dose and Single Event Effects (SEE) with electrical performance up to 100krad(Si) TID and come in a SMD-2 package.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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