IRHNA57Z60
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IRHNA57Z60

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IRHNA57Z60
IRHNA57Z60
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    75 A
  • ID (@25°C) (最大)
    75 A
  • QG
    200 nC
  • QPL型番
    2N7467U2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    3.5 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF (最大)
    1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNA57Z60 rad hard single N-channel MOSFET is perfect for space applications, featuring 30V and 75A capabilities. The low RDS(on) and gate charge reduce power losses in switching applications, while retaining MOSFET's advantages. These R5 COTS devices are characterized for both Total Dose and Single Event Effects (SEE) with electrical performance up to 100krad(Si) TID and come in a SMD-2 package.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ