IRHMS9A7264
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IRHMS9A7264

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IRHMS9A7264
IRHMS9A7264
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    165 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    19.5 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The rad hard N-channel MOSFET IRHMS9A7264 is a single device with 250V and 82A capacity, housed in SupIR-SMD package. It has improved immunity to SEE and useful performance with LET up to 90MeV·cm2/mg. Its low RDS(on) and faster switching times reduce power losses and increase power density. It is ideal for space applications and high-speed switching applications like DC-DC converters and motor controllers in satellite bus and payload systems.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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