IRHMS6S7264

データシート

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IRHMS6S7264
IRHMS6S7264
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    28.5 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    220 C
  • RDS (on) (@25°C) max
    41 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHMS6S7264 R6 N-channel MOSFET is a high-performance, rad hard MOSFET for space applications. It features 250V, 45A, and low RDS(on) and gate charge, reducing power losses in switching applications. This COTS device retains all the advantages of MOSFETs, including voltage control, fast switching, and temperature stability. It's characterized for Total Dose and Single Event Effect up to LET of 90 MeV·cm2/mg.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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