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IRHMB7360SE

データシート
パッケージ

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IRHMB7360SE
IRHMB7360SE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    14 A
  • ID (@25°C) (最大)
    22 A
  • QG
    185 nC
  • QPL型番
    2N7391D4
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    200 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • VF (最大)
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHMB7360SE R4 rad hard HEXFET MOSFET is a 200V, 35A N-channel device in a TO-254AA tabless low ohmic package. Radiation-hardened for space applications, with electrical performance up to 100krad(TID) and COTS classification, it has low RDS(on) and gate charge, reducing power losses for DC-DC converters and motors. It retains MOSFET advantages, such as voltage control, fast switching, and temperature stability of electrical parameters.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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