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IRHMB7360SE

データシート
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IRHMB7360SE
IRHMB7360SE
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    185 nC
  • QPL型番
    2N7391D4
  • RDS (on) (@25°C) max
    200 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • VF max
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHMB7360SE R4 rad hard HEXFET MOSFET is a 200V, 35A N-channel device in a TO-254AA tabless low ohmic package. Radiation-hardened for space applications, with electrical performance up to 100krad(TID) and COTS classification, it has low RDS(on) and gate charge, reducing power losses for DC-DC converters and motors. It retains MOSFET advantages, such as voltage control, fast switching, and temperature stability of electrical parameters.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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