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IRHLNM7S3214
生産終了
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IRHLNM7S3214

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データシート
パッケージ

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IRHLNM7S3214
IRHLNM7S3214
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    2 A
  • ID (@25°C) (最大)
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    1100 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

OPN
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHLNM7S3214 R7 logic level power MOSFET is a rad hard, single N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package that can handle 250V and 3.2A. It provides a simple solution for interfacing CMOS and TTL circuits to power devices in space and radiation environments. It maintains its threshold voltage within acceptable operating limits even after exposure to radiation up to 300krad(Si) TID, while staying immune to single event gate rupture and burnout.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ