新規設計は非推奨

IRHLNM7S3214

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM7S3214
IRHLNM7S3214
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    2 A
  • ID (@25°C) (最大)
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    1100 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHLNM7S3214 R7 logic level power MOSFET is a rad hard, single N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package that can handle 250V and 3.2A. It provides a simple solution for interfacing CMOS and TTL circuits to power devices in space and radiation environments. It maintains its threshold voltage within acceptable operating limits even after exposure to radiation up to 300krad(Si) TID, while staying immune to single event gate rupture and burnout.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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