IRFHM4226

IRFHM4226

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package
データシート

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IRFHM4226
IRFHM4226
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    28 A
  • ID (最大)
    67 A
  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    105 A
  • ID (@ TC=100°C) (最大)
    67 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.7 W
  • Ptot (最大)
    39 W
  • Qgd
    5.8 nC
  • QG
    16 nC
  • RDS (on) (最大)
    2.2 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.2 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    3.3 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.2 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    S3O8 (3x3mm style SuperSO8)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Low Thermal Resistance to PCB (less than 3.2°C/W)
  • Low Profile (less than 0.9 mm)
  • Industry-Standard Pinout
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • Very Low Gate Charge
  • Low Junction to PCB Thermal Resistance
  • Qualified Industrial
  • Qualified MSL1
  • FastIRFET™

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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