IRFH4226

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5 x 6 B package
データシート

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IRFH4226
IRFH4226
データシート

製品仕様情報

  • ID max
    69 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    110 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    69 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.4 W
  • Ptot max
    46 W
  • Qgd
    5.8 nC
  • QG
    16 nC
  • RDS (on) max
    2.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    3.3 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    2.4 mΩ
  • RthJC max
    2.7 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 5 x 6 B
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • Low Charge (typical 16 nC)
  • Low RDSon (less than 2.4 mOhms)
  • Low Thermal Resistance to PCB (less than 2.7 °C/W)
  • Low Profile (less than 0.9 mm)
  • Industry-Standard Pinout
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • RoHS Compliant, Halogen-Free
  • MSL1, Industrial Qualification
  • FastIRFET™

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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