IRFH4213D

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package
データシート

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IRFH4213D
IRFH4213D
データシート

Product details

  • ID (@ TC=100°C) max
    100 A
  • ID max
    100 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    100 A
  • Ptot max
    96 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.6 W
  • Qgd
    9.4 nC
  • QG
    25 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.9 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1.35 mΩ
  • RDS (on) max
    1.35 mΩ
  • RthJC max
    1.3 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 5 x 6 B
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N with Schottky
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • Low RDSon (less than 1.35 mOhms)
  • Schottky Intrinsic Diode with Low Forward Voltage
  • Low Thermal Resistance to PCB (less than 1.3°C/W)
  • Low Profile (less than 0.9 mm)
  • Industry-Standard Pinout
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • RoHS Compliant, Halogen - Free
  • MSL1, Industrial Qualification
  • FastIRFET™

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }