IRF6713S

IRF6713S

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 22 amperes optimized with low on resistance.
データシート

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IRF6713S
IRF6713S
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    22 A
  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    95 A
  • ID (@ TA=70°C) (最大)
    17 A
  • Ptot (最大)
    42 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.2 W
  • Qgd
    6.3 nC
  • QG
    21 nC
  • RDS (on) (最大)
    3 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    4.6 mΩ
  • RthJC (最大)
    3 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET SQ
  • マイクロステンシル
    IRF66SQ-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • 100% Rg tested
  • Low Profile (less than 0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling
  • Optimized for Control FET Applications
  • Low Conduction Losses
  • Optimized for High Frequency Switching
  • Low Package Inductance

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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