IRF5N3205

データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF5N3205
IRF5N3205
データシート

Product details

  • ID (@100°C) max
    55 A
  • ID (@25°C) max
    55 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    8 mΩ
  • VBRDSS min
    55 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    High Reliability MOSFETs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製哝ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ坝
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRF5N3205 is a high reliability, 55V, single, N-channel MOSFET in a SMD-1 package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }