新規設計は非推奨
RoHS準拠

IRF1018E

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IRF1018E
IRF1018E
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    79 A
  • Ptot (最大)
    110 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    46 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.4 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.32 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) (範囲)
    2 V ～ 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.33
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRF1018EPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり

ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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