IRF1018E
新規設計非推奨
RoHS対応

IRF1018E

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
データシート
パッケージ

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IRF1018E
IRF1018E
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    79 A
  • Ptot (最大)
    110 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    46 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.4 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.32 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.33
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRF1018EPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
KR,TW

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
KR,TW
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ