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IPT030N12N3 G

OptiMOS™ power MOSFET 120V in TOLL package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPT030N12N3 G
IPT030N12N3 G
EA.
データシート

Product details

  • ID max
    237 A
  • ID (@25°C) max
    237 A
  • IDpuls max
    948 A
  • Ptot max
    375 W
  • QG (typ @10V)
    158 nC
  • RDS (on) max
    3 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    3 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    48-72 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    2.4
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPT030N12N3GATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IPT030N12N3 G is the ideal fit for battery-powered equipment, with optimal balance between additional voltage breakdown margin and low on-state resistance (RDS(on)). Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET 120V technology meets TO-Leadless package , optimized for high-current applications. The TOLL package is the perfect solution for high power density applications that benefit from 30 percent smaller footprint compared to D2PAK 7-pin and lower package inductances.

機能

  • Low RDS(on)in compact package
  • <60% smaller than D2PAK 7-pin
  • Ideal for 72V battery powered equipment

利点

  • High Power Density, Improved Thermal
  • Less board space needed
  • High Efficiency, Less Paralleling

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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