IPT030N12N3 G
アクティブ
RoHS対応

IPT030N12N3 G

OptiMOS™ power MOSFET 120V in TOLL package
個.
在庫あり

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IPT030N12N3 G
IPT030N12N3 G
個.

製品仕様情報

  • ID (最大)
    237 A
  • ID (@25°C) (最大)
    237 A
  • IDpuls (最大)
    948 A
  • Ptot (最大)
    375 W
  • QG (typ @10V)
    158 nC
  • RDS (on) (最大)
    3 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3 mΩ
  • VDS (最大)
    120 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V~4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    48-72 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    2.31
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
IPT030N12N3GATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The IPT030N12N3 G is the ideal fit for battery-powered equipment, with optimal balance between additional voltage breakdown margin and low on-state resistance (RDS(on)). Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET 120V technology meets TO-Leadless package , optimized for high-current applications. The TOLL package is the perfect solution for high power density applications that benefit from 30 percent smaller footprint compared to D2PAK 7-pin and lower package inductances.

特長

  • Low RDS(on)in compact package
  • <60% smaller than D2PAK 7-pin
  • Ideal for 72V battery powered equipment

利点

  • High Power Density, Improved Thermal
  • Less board space needed
  • High Efficiency, Less Paralleling
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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