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IPP60R022S7

Infineon’s best price performance Superjunction MOSFET for low frequency switching applications in TO-220 package
EA.
在庫あり

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IPP60R022S7
IPP60R022S7
EA.

製品仕様情報

  • ID max
    23 A
  • IDpuls max
    375 A
  • Ptot max
    390 W
  • QG (typ @10V)
    150 nC
  • QG
    150 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    20 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TO220
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    4.47
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Slow switching
OPN
IPP60R022S7XKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
With a design optimized for low conduction losses, the 600V CoolMOS™ S7 Superjunction MOSFET (IPP60R022S7) in TO-220 features the best RDS(on) x price for low switching frequency applications, such as active bridge rectifiers, inverter stages, in-rush relays, PLCs , HV DC lines, power solid state relays and solid state circuit breakers. The 600V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET achieves higher energy efficiency and reduces BOM expenses.

機能

  • Best R DS(on) in TO-220
  • Optimized for conduction performance
  • Improved thermal resistance
  • High pulse current capability

利点

  • Minimal conduction losses
  • Increase energy efficiency
  • More compact and easier designs
  • Eliminates or reduces heat sinks
  • Lower TCO or BOM Cost

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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