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IPP027N08N5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V for telecom applications
データシート
パッケージ

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IPP027N08N5
IPP027N08N5
データシート

Product details

  • Ciss
    6900 pF
  • Coss
    1100 pF
  • ID (@25°C) max
    120 A
  • IDpuls max
    480 A
  • Ptot max
    214 W
  • QG (typ @10V)
    99 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.7 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • Rth
    0.7 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO-220
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.38
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPP027N08N5AKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET , especially designed for Synchronous Rectification for telecom and server power supplies . In addition, the device can also be utilized in other industrial applications such as solar , low voltage drives and adapter . Within seven different packages, the OptiMOS™ 5 80 V MOSFETs offer the industry’s lowest RDS(on). Additionally, compared to the previous generation, OptiMOS™ 5 80 V has an RDS(on) reduction of up to 43%.

機能

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • Capacitance reduction of up to 44%
  • 43% lower Rds(on) vs. previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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