IPD30N03S2L-10

30V, N-Ch, 10 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™
データシート

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IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    30 A
  • IDpuls (最大)
    120 A
  • Ptot (最大)
    100 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    31 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    10 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.5 K/W
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) (最小)
    1.2 V
  • VGS(th) (最大)
    2 V
  • パッケージ
    DPAK (PG-TO252-3)
  • 予算価格€/ 1k
    0.81
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

特長

  • N-channel - Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Package (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested

利点

  • Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
  • Robust packages with superior quality and reliability
  • Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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