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IPB407N30N
生産終了
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IPB407N30N

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データシート
パッケージ

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IPB407N30N
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データシート


製品仕様情報

  • Ciss
    5400 pF
  • Coss
    281 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    44 A
  • IDpuls (最大)
    176 A
  • Ptot (最大)
    300 W
  • QG (typ @10V)
    65 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    40.7 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.5 K/W
  • Special Features
    Fast Diode
  • VDS (最大)
    300 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    144-200 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    3.91
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IPB407N30NATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
OptiMOS™ 300 V MOSFETs, incorporating fast diode technology, are especially optimized for body diode hard commutation. The devices not only demonstrate impressive on-state resistance (R DS(on)) and figure of merit (FOM), but also provide high system reliability through the lowest reverse recovery charge (Q rr) available on the market.

特長

  • Fast diode technology
  • Industry best R DS(on) >58% lower FOM
  • Hard commutation ruggedness
  • Optimized hard switching behavior

利点

  • Highest efficiency and power density
  • Board space and system cost reduction
  • High system reliability
  • Best switching performance
  • Easy-to-design products
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ