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IGLT65R055B2

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IGLT65R055B2
IGLT65R055B2
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • I SSパルス (@25°C) max
    73.6 A
  • QG
    5.4 nC
  • RDS (on)
    55 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    PG-HDSOP-16
  • ファミリー
    CoolGaN™ BDS 650 V G5
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
推奨
OPN
IGLT65R055B2AUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 -
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IGLT65R055B2 is a 650 V normally-off bidirectional power transistor in TOLT package, enabling high power density designs. The CoolGaN™ BDS 650 V G5 enables efficient voltage blocking in both directions, making it a versatile option for a wide range of applications and enabling cost-attractive topologies.

機能

  • 650 V bidirectional e-mode transistor
  • Common-drain configuration
  • Bidirectional blocking capability
  • Low gate charge, low output charge
  • Integrated substrate voltage control
  • Qualfied according to JEDEC
  • Stable RSS(on) across temp. and freq.
  • Replacement of back-to-back switches

利点

  • Compact design
  • Cost effective
  • Low conduction loss
  • Simplified design
  • Short time-to-market

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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