Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IGI60L2727B1M

270 mΩ / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IGI60L2727B1M
IGI60L2727B1M
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • ID (@25°C) max
    4.8 A
  • IDpuls (@25°C) max
    9 A
  • QG
    1.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    270 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • ファミリー
    CoolGaN™ Drive HB 600 V G5
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
推奨
OPN
IGI60L2727B1MXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ PG-TFLGA-27
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-TFLGA-27
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IGI60L2727B1M combines a half-bridge power stage consisting of two CoolGaN™ Transistors 600 V / 270 mΩ (RDS(on) typ.) with an integrated level-shift gate driver and a bootstrap diode in a small 6x8 mm TFLGA-27 package.

機能

  • Integrated level shift gate driver
  • Integrated bootstrap diode
  • PWM input compatible
  • Wide VDD range (10 to 24 V)
  • Turn-ON & OFF dv/dt slew rate control
  • Zero Qrr

利点

  • 4x reduction in components count
  • 2x reduction of footprint on a PCB

    On a system level:
  • Reduced cost
  • Reduced weight
  • Reduced complexity

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }