Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IGB110S101

CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mΩ
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IGB110S101
IGB110S101
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • ID (@25°C) max
    23 A
  • IDpuls (@25°C) max
    97 A
  • QG
    3.4 nC
  • RDS (on) (typ)
    9.4 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • パッケージ
    PQFN
  • ファミリー
    CoolGaN™ Transistor 100 V G3
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IGB110S101XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-VSON-4
パッケージ名 N/A
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-VSON-4
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications.

機能

  • 100 V e-mode power transistor
  • Bottom-side cooled package
  • No reverse recovery charge
  • Reverse conduction capability
  • Low gate charge, low output charge
  • Qualified according to JEDEC

利点

  • Best-in-class power density
  • Highest efficiency
  • Improved thermal management
  • Enabling smaller and lighter designs
  • Excellent reliability
  • Lowering BOM cost

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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