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生産終了
生産終了
RoHS準拠
鉛フリー

IDWD15G120C5

生産終了
1200 V Silicion Carbide Schottky diode in TO-247-2 package
データシート

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IDWD15G120C5
IDWD15G120C5
データシート

製品仕様情報

  • I(FSM) max
    170 A
  • IF max
    15 A
  • IR
    8 A
  • Ptot max
    200 W
  • QC
    82 nC
  • RthJC
    0.6 K/W
  • VF
    1.4 V
  • パッケージ
    PG-TO247-2
  • 認定
    Industrial
OPN
IDWD15G120C5XKSA1 IDWD15G120C5XKSA2
製品ステータス discontinued discontinued
インフィニオンパッケージ PG-TO247-2 PG-TO247-2
パッケージ名 N/A N/A
包装サイズ 240 240
包装形態 TUBE TUBE
水分レベル NA N/A
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ PG-TO247-2
パッケージ名 -
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ PG-TO247-2
パッケージ名 -
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CoolSiC™ Schottky diode 1200 V, 15 A G5 in a TO-247 real 2-pin package, for easy exchange of bipolar Si diodes. The expanded 8.7 mm creepage and clearance distances offer extra safety in high-pollution environments. Combined with a Si IGBT or super-junction MOSFET a CoolSiC™ diode raises efficiency up to 1% compared to next best Si diode alternative. The output power of PFC and DC-DC stages can thus be increased, by 40% or more.

機能

  • No reverse recovery current
  • No forward recovery voltage
  • Temp.-independ. switching behavior
  • Low forward voltage*
  • *even at high operating temperature
  • Tight forward voltage distribution
  • High surge current capability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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