Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25V20A-G

2Mb 3.3V Industrial 40MHz SPI F-RAM in 8-pin SOIC
EA.
個の在庫あり

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FM25V20A-G
FM25V20A-G
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ~ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ~ 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
FM25V20A-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM25V20A-Gは2-Mbit(256K × 8)シリアルF-RAMメモリで、100兆回の高耐久読書きと151年のデータ保持を実現。2.0 V~3.6 V電源、-40°C~+85°Cの温度範囲、最大40 MHzのSPIインターフェースによる高速NoDelay™書込み対応。高度な書込み保護、超低消費電力(スリープモード3 µA)、シリアルフラッシュやEEPROMの直接置換が可能で、工業制御やデータ収集など頻繁・高速書込み用途に最適。デバイスIDで追跡性を向上。

特長

  • 2-Mbit F-RAM、256K×8構成
  • 100兆回の読書/書込耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™リアルタイム書込
  • 最大40 MHz SPIバス
  • SPIモード0/3対応
  • 多層ハード/ソフト書込保護
  • 1/4・1/2・全域ブロック保護
  • メーカー/製品ID搭載
  • 低消費電力:800 µA動作、3 µAスリープ
  • 広VDD:2.0 V~3.6 V
  • 工業温度:–40°C~+85°C

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 即時書込で遅延ゼロ
  • 長寿命の超高耐久性
  • 電源断でもデータ消失防止
  • シリアルフラッシュ/EEPROM置換
  • 柔軟な重要データ保護
  • ハード/ソフト両面のセキュリティ
  • システムで容易に識別
  • 待機時も低消費電力
  • 過酷な工業環境で動作
  • 標準SPIコントローラ対応
  • データ長期間保持

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }